Онуфрієнко В.М.
Потенціали фрактальних шарів зарядів і струмів у штучному середовищі
|
УДК: 530.1+537.86
Автори: Онуфрієнко В.М.
Джерело:
Радіоелектроніка. Інформатика. Управління
Номер журнала: № 1(11)
Рік видання: 2004
Мова:
Українська
Вид документа:
Стаття періодики
| Анотація: |
Показано зв'язок між потенціалом розподіленого по фрактальній множині заряду (струму) та потенціалом відображення за допомогою перетворення Кельвіна. Модель класичного точкового заряду у фрактально структурованій точці та фрактально структурованого заряду у класичній точці узагальнено у моделі фрактального шару. Демонстру ється застосування диферінтегралів для опису сукупност і фрактальних зарядів (струмів). |
| Ключові слова: |
потенціал, потенциал, метод Кельвіна, метод Кельвина, фрактальні заряди (струми), фрактальные заряды (токи) |
|
|
Файл документа доступний читачам бібліотеки: увійдіть або зареєструйтесь.
|