Влияние обработки поверхности пластин Si на характеристики силовых диодных структур, облученных электронами — Електронна бібліотека НУ «Запорізька політехніка»

•

[На рівень вище] [Головна] [Результати пошуку]

Горбань А. Н., Кравчина В. В., Коляда А. И., Гомольский Д. М., Солодовник А. И.
Влияние обработки поверхности пластин Si на характеристики силовых диодных структур, облученных электронами

УДК: 621.382+544.5
Автори: Горбань А. Н., Кравчина В. В., Коляда А. И., Гомольский Д. М., Солодовник А. И.
Джерело: Радіоелектроніка. Інформатика. Управління
Номер журнала: № 1
Рік видання: 2006
Мова: Російська
Вид документа: Стаття періодики

Анотація:

Диоды с наименьшим временем восстановления и максимальным
коэффициентом формы Кrr тока восстановления получены на диодных структурах изготовленных на пластинах после резки (кремний 70 Ом·см), которые имеют
наименьший рельеф поверхности. Отсутствие операций шлифовки, отжиг РЦ при более низкой температуре позволяют упростить технологию изготовления
силовых диодов, но требуют ее доработки на этапе кассетной пайки. При помощи исследования спектров НЕСГУ показано, что после отжига травленных и шлифованных пластин кремния доминирующими являлись уровни H1(0,21) и Е4(0,37), причем для травленой поверхности наблюдается значительная концентрация рекомбинационных центров H1(0,21), а для шлифованной поверхности характерна преобладающая концентрация рекомбинационных
центров с энергией Е4(0,37).

Ключові слова:

електронне опромінення, электронное облучение

Файл документа доступний читачам бібліотеки: увійдіть або зареєструйтесь.