В работе оптимизированы процессы селективной эпитаксии слоев кремния на
структурах Si-SiO2-Si*, процессы формирования диэлектрической изоляции и
диффузионных областей комплементарных биполярных транзисторных структур. При формировании диэлектрической изоляции элементов ИМС проводится окисление границы между эпитаксиальными слоями эпимоно-Si и эпи-Si*, расположенной под углом 55° к поверхности. В этом случае градиент механических напряжений направлен или к краевой области объема моно-Si или в объем слоя эпи-Si* и образование механических напряжений
достаточных для генерации дефектов в слое эпимоно-Si не происходит. При толщине эпитаксиальной пленки 3,0–4,0 мкм характеристики комплементарных транзисторов составили величины Uке > 20 В и β ≥ 60.

комплементарные биполярные транзисторы, диэлектрическая изоляция, селективная эпитаксия, ток утечки