Технология полупроводникового кремния
|
УДК: 669.782+621.315.592.2:541.28
Авторський знак: Т38
Рік видання: 1992
Видавництво:
Металлургия / М.
Мова:
Російська
Обсяг: 408с.
Вид документа:
Книга
Науковий напрямок:
ТЕХНІЧНІ НАУКИ
Дисципліни:
Металознавство
| Анотація: |
Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов, влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические свойства кремния. Описаны процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криогенное. Рассмотрены способы получения кремния с заранее заданными свойствами, приведены областиего применения. Значительное внимание уделено контролю качества продукции, технике безопасности в кремниевом производстве. Для инженерно-технических работников и специалистов полупроводниковой промышленности. Может быть полезна студентам вузов, обучающимся по соответствующим специальностям. |
| Ключові слова: |
кремній, кремний, монокристали, монокристаллы, гази, газы |
|
|
Файл документа доступний читачам бібліотеки: увійдіть або зареєструйтесь.
|